struts的优点和缺点是什么??，备抵法中，余额百分比法的优缺点是什么？，MOCVD是什么设备?，mocvd设备工作原理...
struts的优点和缺点是什么??
优点：
Struts跟Tomcat、Turbine等诸多Apache项目一样，是开源软件，这是它的一大优点。使开发者能更深入的了解其内部实现机制。
除此之外，Struts的优点主要集中体现在两个方面：Taglib和页面导航。Taglib是Struts的标记库，灵活动用，能大大提高开发效率。另外，就目前国内的JSP开发者而言，除了使用JSP自带的常用标记外，很少开发自己的标记，或许Struts是一个很好的起点。
关于页面导航，我认为那将是今后的一个发展方向，事实上，这样做，使系统的脉络更加清晰。通过一个配置文件，即可把握整个系统各部分之间的联系，这对于后期的维护有着莫大的好处。尤其是当另一批开发者接手这个项目时，这种优势体现得更加明显。
缺点：
Taglib是Struts的一大优势，但对于初学者而言，却需要一个持续学习的过程，甚至还会打乱你网页编写的习惯，但是，当你习惯了它时，你会觉得它真的很棒。
Struts将MVC的Controller一分为三，在获得结构更加清晰的同时，也增加了系统的复杂度。
Struts从产生到现在还不到半年，但已逐步越来越多运用于商业软件。虽然它现在还有不少缺点，但它是一种非常优秀的J2EE MVC实现方式，如果你的系统准备采用J2EE MVC架构，那么，不妨考虑一下Struts。
备抵法中，余额百分比法的优缺点是什么？
应收帐款余额百分比法就是按应收账款余额的一定比例计算提取坏账准备金。至于计提比例，由于各行业应收账款是否能及时收回，其风险程度不一，各行业规定比例不尽一致；农业企业、施工企业、房地产开发企业为1%，对外经济合作企业为2%，其他各类企业为0.3%-0.5%，外商投资企业为3%。企业每期坏帐准备数额的估计要求合理适中，估计过高会造成期间成本人为升高，估计过低则造成坏帐准备不足以抵减实际发生的坏帐，起不到坏帐准备金的应有作用。
应收帐款余额百分比法与账龄分析法估算的坏帐损失都涉及到各个时期的应收帐款，它们所计算出来的坏账损失额是指会计期末“坏帐准备”帐户的余额，而不是会计期末应计提的坏帐准备数额。因此，确定会计期末坏帐准备计提数必须视股份有限公司期末“坏帐准备”帐户的余额情况而定：
1）坏帐准备”帐户无余额，按估算数直接作为期束的计提数。简称为全提。
2)“坏帐准备”帐户为贷方余额，且余额数正好等于估算数，不需进行坏帐准备的计提，简称为不提。
3)“坏帐准备”帐户为贷方余额，且余额数小于估算数，按两者差额补提坏帐准备，简称为补提。
4)“坏帐准备”帐户为贷方余额，且余额数大于其估算数，按两者差额冲减坏帐准备，简称为冲提。
5)“坏帐准备”帐户为借方余额，可将余额数与估算数之和作为期末坏帐准备的计提数，简称为增提。
不能体现配比原则相同
采用应收帐款余额百分比法与帐龄分析法计提坏帐准备，由于计算坏帐损失所依据的应收帐款数额包括了以前会计期间的赊销数，其计提的坏帐准备并不反映于其应属的会计期间。因此，采用应收帐款余额百分比法与帐龄分析法计提坏帐准备，都不能很好地体现会计核算中的配比原则。
计提的时间相同
应收帐款余额百分比法与帐龄分折法按股份有限 公司会计制度规定，都是在中期期末或年度终了时进行计提。
MOCVD是什么设备?
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。 MOCVD的组成： 因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。 不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。 一般由 源供给系统 、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统。 以上内容参考：百度百科—MOVCD
mocvd设备工作原理
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。 原理~~~~~ MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。 组成 因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。 一般由 源供给系统 、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统。
下一篇：没有了
