rank是什么意思，rank是什么意思？，在DRAM 中 BANK 和 RANK 的区别...
rank是什么意思
地位，级别。 rank 英［ræŋk]美［ræŋk] n. (尤指较高的）地位，级别；军衔；军阶；警衔；普通士兵。 v.把…分等级；属于某等级；排列；使排成行。 adj.难闻的；恶臭的；（强调质量、状况等）极端的，糟糕的；疯长的。 ［例句］The findings are arranged in rank order according to performance. 这些研究结果是根据性能等级排列的。 近义词 caste 英［kɑːst]美［kæst] n. (印度教的四大）种姓；（尤指禁止其他等级成员进入的）社会阶层，社会等级；社会等级制度。 ［例句］The caste system shapes nearly every facet of Indian life. 种姓制度几乎影响着印度生活的方方面面。 ［其他］复数：castes。
rank是什么意思？
Rank函数被拆分成2个函数：Rank.EQ保留原来的作用，而新增Rank.AVG能提高对重复值的排名精度。 Rank.EQ和原来的Rank函数功能完全一样，没有差异。 但Rank.AVG得到不同的结果： 1. 返回一个数字在数字列表中的排位 2. 数字的排位是其大小与列表中其他值的比值 3. 如果多个值具有相同的排位，则将返回平均排位。而不是Rank和Rank.EQ中的首次排名。 rank函数是排名函数。rank函数最常用的是求某一个数值在某一区域内的排名。 扩展资料： 【如何使用RANK 平均的等级值为限制的观察值】 将数字数据转换为秩时, 可能要用于表示扎以便限制的观察每个接收的平均等级上的最小可能的秩而不是所有此类的观察值。在这篇文章中数值的示例阐释这一点。 虽然当前版本的 RANK 返回相应的结果对于大多数情况下，本文讨论了一个领带发生这种情况。例如对于您可能需要处理扎，如果您正在使用非参数化的统计假设测试涉及秩的 RANK。 参考资料：RANK函数——百度百科
在DRAM 中 BANK 和 RANK 的区别
一、 SDRAM内存芯片的内部结构
1、 物理层P-Bank
传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。
当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理层（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。
所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank的概念。
不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank概念也不适用。
2、 芯片位宽
上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需要8颗了。
以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。P-Bank其实就是一组内存芯片的集合，这个集合的容量不限，但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展，一个系统只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要。所以，芯片组开始可以支持多个P-Bank，一次选择一个P-Bank工作，这就有了芯片组支持多少（物理）Bank的说法。而在Intel的定义中，则称P-Bank为行（Row），比如845G芯片组支持4个行，也就是说它支持4个P-Bank。另外，在一些文档中，也把P-Bank称为Rank（列）。
回到开头的话题，DIMM是SDRAM集合形式的最终体现，每个DIMM至少包含一个P-Bank的芯片集合。在目前的DIMM标准中，每个模组最多可以包含两个P-Bank的内存芯片集合，虽然理论上完全可以在一个DIMM上支持多个P-Bank，比如SDRAM DIMM就有4个芯片选择信号（Chip Select，简称片选或CS），理论上可以控制4个P-Bank的芯片集合。只是由于某种原因而没有这么去做。比如设计难度、制造成本、芯片组的配合等。至于DIMM的面数与P-Bank数量的关系，面数≠P-Bank数，只有在知道芯片位宽的情况下，才能确定P-Bank的数量，而这种情况在Registered模组中非常普遍。
二、 SDRAM内存芯片的内部结构
1、逻辑Bank与芯片位宽
讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。
阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以把它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。
L-Bank存储阵列示意图
由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。到了RDRAM则最多达到了32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。
这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。
从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效，原因将在下文中说明。
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