碳化硅泡沫陶瓷与碳化硅陶瓷有什么区别，碳化硅用在耐火材料上是什么作用，氮化绿碳化硅的成份是什么，氮化硅的合成方法及加工...
碳化硅泡沫陶瓷与碳化硅陶瓷有什么区别
碳化硅泡沫陶瓷是气孔率非常高的陶瓷，碳化硅陶瓷是气孔率很低的陶瓷！原料是一样的！
SiC陶瓷不仅具有优良的常温力学性能，如高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨损以及低的摩擦系数，而且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中最佳的。热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的材料，其高温强度可一直维持到1600℃，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中最好的。SiC陶瓷的缺点是断裂韧性较低，即脆性较大，为此近几年以SiC陶瓷为基的复相陶瓷，如纤维(或晶须)补强、异相颗粒弥散强化、以及梯度功能材料相继出现，改善了单体材料的韧性和强度。SiC陶瓷在石油、化工、微电子、汽车、航天、航空、造纸、激光、矿业及原子能等工业领域获得了广泛的应用。
碳化硅用在耐火材料上是什么作用
碳化硅耐火材料是以碳化硅为原料和主晶相的耐火制品。因为碳化硅耐火制品的原料和主晶相主要是碳化硅，所以制品的许多性质都取决于碳化硅的性质。这类耐火制品中，碳化硅为瘠性料，必须由结合剂将其黏结为整体，故结合剂的性质和粘结形式对制品的性质有相当大的影响。
碳化硅是硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，分为天然碳化硅和人工合成碳化硅。天然碳化硅称为碳硅石，储量甚少，无开采价值。工业上用的碳化硅都是由人工合成的。
氮化绿碳化硅的成份是什么
亲您好，很高兴为您解答，我是您的专属在线解答老师，感谢您的耐心等候！主要成分有碳化硅为9.05%、氮化绿碳化硅的成份是:二氧化硅为0.2%、F.Si为0.03%、F. C为0.04%、FE2O3为0.1%。 绿碳化硅微粉用途是可以在碳化硅原块在粉碎后经雷蒙机、气流磨、球磨机、整形机研磨后形成的碳化硅产品。希望本次服务能帮到您[鲜花][鲜花][鲜花]，您可以点击我的头像关注我，后续有问题方便再次向我咨询，期待能再次为您服务。祝您；生活愉快，一切顺利！平安喜乐!【摘要】
氮化绿碳化硅的成份是什么【提问】
亲您好，很高兴为您解答，我是您的专属在线解答老师，感谢您的耐心等候！主要成分有碳化硅为9.05%、氮化绿碳化硅的成份是:二氧化硅为0.2%、F.Si为0.03%、F. C为0.04%、FE2O3为0.1%。 绿碳化硅微粉用途是可以在碳化硅原块在粉碎后经雷蒙机、气流磨、球磨机、整形机研磨后形成的碳化硅产品。希望本次服务能帮到您[鲜花][鲜花][鲜花]，您可以点击我的头像关注我，后续有问题方便再次向我咨询，期待能再次为您服务。祝您；生活愉快，一切顺利！平安喜乐!【回答】
氮化硅的合成方法及加工
合成方法
可在1300-1400°C的条件下用单质硅和氮气直接进行 化合反应 得到氮化硅：
3 Si(s) + 2N2(g) →Si3N4(s)
也可用 二亚胺 合成
SiCl4(l) + 6NH3(g) →Si(NH)2(s) + 4NH4Cl(s) 在0 °C的条件下3Si(NH)2(s) →Si3N4(s) +N2(g) + 3H2(g) 在1000 °C的条件下
或用 碳热还原反应 在1400-1450°C的氮气气氛下合成：
3SiO2(s) + 6 C(s) + 2N2(g) →Si3N4(s) + 6 CO(g)
对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500°C的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，目前二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。 碳热还原反应 是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
电子级的氮化硅薄膜是通过 化学气相沉积 或者 等离子体增强化学气相沉积技术 制造的: [1]
3SiH4(g) + 4NH3(g) →Si3N4(s) + 12H2(g)3SiCl4(g) + 4NH3(g) →Si3N4(s) + 12 HCl(g)3SiCl2H2(g) + 4NH3(g) →Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6H2(g)
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用： [1]
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。 [2]
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生 张力 或 应力 。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。 [3]
先利用 溶胶凝胶法 制备出二氧化硅，然后同时利用 碳热还原法 和氮化对其中包含特细碳粒子的 硅胶 进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是： [4]
SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2N2(g) + 3 CO(g) →Si3N4(s) + 3CO2(g) 或3 SiO(g) + 2N2(g) + 3 C(s) →Si3N4(s) + 3 CO(g)
加工方法
作为粒状材料的氮化硅是很难加工的——不能把它加热到它的熔点1850°C以上，因为超过这个温度氮化硅发生分解成硅和氮气。因此用传统的热压烧结技术是有问题的。把氮化硅粉末粘合起来可通过添加一些其他物质比如烧结助剂或粘合剂诱导氮化硅在较低的温度下发生一定程度的液相烧结后粘合成块状材料。 [5] 但由于需要添加粘合剂或烧结助剂，所以这种方法会在制出的块状材料中引入杂质。使用放电等离子烧结是另一种可以制备更纯净大块材料的方法，对压实的粉末在非常短的时间内（几秒中）进行电流脉冲，用这种方法能在1500-1700°C的温度下得到紧实致密的氮化硅块状物。 [6] [7]
参考资料：
^ 跳转至：12.0 12.1 Yoshio Nishi, Robert Doering. Handbook of semiconductor manufacturing technology . CRC Press. 2000: 324–325. ISBN 0-8247-8783-8 .
^ Comparison of vertical and horizontal tube furnaces in the semiconductor industry . [2009-06-06].
^ deposition of silicon nitride layers . [2009-06-06].
^ Ghosh Chaudhuri, Mahua; Dey, Rajib; Mitra, Manoj K; Das, Gopes C; Mukherjee, Siddhartha. A novel method for synthesis of α-Si3N4 nanowires by sol–gel route . Sci. Technol. Adv. Mater. 2008, 9 (1): 015002. Bibcode:2008STAdM...9a5002G . doi:10.1088/1468-6996/9/1/015002 .
^ Silicon Nitride – An Overview . [2009-06-06].
^ Nishimura, Toshiyuki; Xu, Xin; Kimoto, Koji; Hirosaki, Naoto; Tanaka, Hidehiko. Fabrication of silicon nitride nanoceramics—Powder preparation and sintering: A review . Sci. Technol. Adv. Mater. 2007, 8(7–8): 635. Bibcode:2007STAdM...8..635N . doi:10.1016/j.stam.2007.08.006 .
^ Peng, H. Spark Plasma Sintering of Si3N4-Based Ceramics – PhD thesis . Stockholm University. 2004 [2009-06-06].
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